湖北武汉获批建设国家信息光电子创新中心

 近日，工信部正式批复同意武汉建设国家信息光电子创新中心。作为“中国制造2025”全国正式授牌的第二批创新中心，同时也是湖北省获得的第一个国家制造业创新中心，国家信息光电子创新中心承载着解决我国信息光电子制造业关键和共性技术协同研发并实现首次商业化的战略任务，将成为推进“中国制造2025”在信息技术产业领域实现落地、破解我国信息光电子“缺芯少魂”局面、保障国家安全的主体力量。
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（图片来源：互联网）
据悉，信息光电子创新中心建立了现代化的企业法人制度，具备自我可持续发展的能力。牵头单位武汉光迅科技股份公司作为武汉邮电科学研究院下属子公司，先后承担了863、973、科技支撑计划等130余项国家级项目，制定了国家和行业标准100余项。股东单位均为国内行业前三的龙头企业，2016年产值总额接近1000亿元。参与共建的单位涵盖了信息光电子领域的优势企业、研究院所和高校、重要应用领域典型用户等。中心目前共有三个分布区域，分别为创新中心总部、芯片技术部、器件技术部和集成光电部区域。依托光迅芯片平台、国重实验室两大技术平台，创新中心创建了光电芯片工艺平台和光电集成研发平台（硅光平台、高端器件验证平台），形成了从材料生长到芯片后工艺、光子集成、光电集成、高速系统硬件试验测试的高端工艺和测试技术平台。

此外，创新中心还组建了包括10名院士专家和17名行业专家的委员会，建立了市场化的项目运作和管理、知识产权归属与技术成果转化机制，成立以来已经实施了硅光技术转移扩散，在III-V族高端光电芯片技术和工艺以及硅光集成芯片设计与测试方面、高速光系统设计和验证方面拥有强大的创新能力，对信息光电子领域产业技术创新形成了重大影响。

创新中心将面向新一代网络、数据中心光互联、5G及接入、光传感、国防光电子等信息光电子应用领域，在高端材料生长、核心芯片工艺、先进封装集成等方面突破关键技术和共性技术瓶颈。用35年建成国际一流的信息光电子制造业创新平台，推动核心光电子芯片和器件行业供给率超过30%，到2025年，实现核心光电子芯片和器件自主可控。（李德浩）